1-wire，即单线总线，又叫单总线。
近年来，美国的达拉斯半导体公司(DALLASSEMICONDUCTOR)推出了一项特有的单总线(1-Wire Bus)技术。该技术与上述总线不同，它采用单根信号线，既可传输时钟，又能传输数据，而且数据传输是双向的，但是和i2c不同的是从低位到高位传输。因而这种单总线技术具有线路简单，硬件开销少，成本低廉，便于总线扩展和维护等优点。
单总线适用于单主机系统，能够控制一个或多个从机设备。主机可以是微控制器，从机可以是单总线器件，它们之间的数据交换只通过一条信号线。当只有一个从机设备时，系统可按单节点系统操作;当有多个从机设备时，系统则按多节点系统操作。设备(主机或者从机)通过一个漏极开路或三态断口连至该数据线，以允许设备在不发送数据时能够释放总线，而让其他设备使用总线。单总线通常要求外接一个5KΩ的上拉电阻。
DS18B20是单总线协议，结构上的简单一定会导致时序上的复杂。在时序上要求严格按照数据手册上面的要求来完成。对于每一次的写命令来说都要按照下面的步骤来执行：
所有的单总线命令序列（初始化，ROM命令，功能命令） （1）初始化：单总线上所有传输过程都需要以初始化开始 （2）ROM命令：在主机检测到从机的应答脉冲后，就可以发出ROM命令 （3）功能命令：每个单总线器件都有自己的专用指令，需要参照各自的数据手册
1.初始化
初始化过程 = 复位脉冲 + 从机应答脉冲。
主机通过拉低单总线480 ~ 960 us产生复位脉冲，然后释放总线，进入接收模式。主机释放总线时，会产生低电平跳变为高电平的上升沿，单总线器件检测到上升沿之后，延时15 ~ 60 us，单总线器件拉低总线60 ~ 240 us来产生应答脉冲。主机接收到从机的应答脉冲说明单总线器件就绪，初始化过程完成。
初始化时序图如下所示：
2.rom命令和功能命令
分为读0,1和写0,1 写0,1 写间隙有两种，包括写0的时间隙和写1的时间隙 当数据线拉低后，在15 ~ 60 us的时间窗口内对数据线进行采样。如果数据线为低电平，就是写0，如果数据线为高电平，就是写1。 主机要产生一个写1时间隙，就必须把数据线拉低，在写时间隙开始后的15 us内允许数据线拉高（即在0~15us内释放总线）。主机要产生一个写0时间隙，就必须把数据线拉低并保持60 us
读0,1
两次读操作之间主机都是先拉低信号至少1us后才能释放总线进行采样，如果读1，那就信号就会拉高一直到一个读周期结束，如果读0，则拉低总线并在该周期结束后释放总线。
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